1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
在过渡金属硫化物中硫化钼作为一个近年来备受瞩目的半导体在众多领域中得到了发展，比如电子晶体管，光敏器件，生物成像等。
少层硫化钼因其传输特性（高的on/off比）以及直接带隙等优点被认为是在光电探测器领域中极具潜力的新材料。
虽然众多研究人员对其进行了大量的研究，但是目前取得的成就只能在大电压以及超小的的照射能量下实现，同时需要牺牲大量的相应和恢复时间。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
本项目拟采用高温化学气相沉积技术（cvd），在不同的衬底上，生长二维层状半导体材料mos2，结合磁控溅射技术在其表面沉积au纳米颗粒，构筑mos2/au纳米颗粒复合结构。
基于mos2/au纳米颗粒复合结构设计高速光电探测器件，探究au纳米颗粒的表面等离子体激元效应对mos2/au光电探测器性能增强的具体物理机制。
完成本论文的设计原理、数据采集、数据分析等。
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